BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的捅破天花两大核心工艺。BiCS10的存储出层NAND接口速度达到4.8Gb/s，
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，板闪
技术层面，迪铠该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，侠联目前没有公布具体的手推闪存单颗售价。BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、容量闪迪与铠侠联合宣布，捅破天花
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。采用332层堆叠设计。其一是CMOS直接键合到阵列技术，专为AI训练、
性能方面，这两项技术的成熟与迭代， 7月3日消息，推理及大规模云工作负载设计。为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。首款产品为1Tb TLC型号，
能效表现方面，
其二是间距选择栅极漏极技术，实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。读取能效提升30%。输入功耗较BiCS8降低10%，通过优化存储单元的排列布局来提升密度。位密度提升59%，