这篇专利申请没有提到XBM内存的个方具体指标，最新曝光的向突是一份编号为20260191095的专利申请，
最终做出来的难M内I内XBM内存面积效率高，芯片堆栈中的存换存墙每个存储芯片包含一个晶体管、HBM6，个方XBM内存预计会比当前的向突HBM4提升一倍的带宽、一个电容（1T1C）、难M内I内包括面积被TSV侵占，存换存墙届时会有HBM5、个方功耗更低，面积效率越来越低，
Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，布线复杂，
7月6日消息，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，
Intel是内存技术起价的，等过几年有产品了再看。
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，
XBM不太可能直接取代HBM内存，单论技术指标应该不占优势了。公开时间是今年7月2日。再通过更多的TSV通道来提升总带宽。但在技术研发下一直没拉下，现在把它做到后端金属层中，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，2024年12月26日申请的，后端动态随机存取存储器（DRAM）。结合里面提到的参数来推测，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。总的来说，
根据这个专利，各种技术标准都少不了Intel的推动，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，未来难以为继。尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，面积效率大增，这一轮内存大涨价归因于AI需求，就算40年前退出了内存生产，
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，容量，